BSZ0911LSATMA1
BSZ0911LSATMA1
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 12A/40A TSDSON
19806 Pcs Nuevos Originales En Stock
N-Channel 30 V 12A (Ta), 40A (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 FL
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BSZ0911LSATMA1 Infineon Technologies
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BSZ0911LSATMA1

Descripción del producto

12943195

Número de pieza

BSZ0911LSATMA1-DG
BSZ0911LSATMA1

Descripción

MOSFET N-CH 30V 12A/40A TSDSON

Inventario

19806 Pcs Nuevos Originales En Stock
N-Channel 30 V 12A (Ta), 40A (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 FL
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BSZ0911LSATMA1 Especificaciones Técnicas

Categoría Transistores, FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs

Embalaje Tape & Reel (TR)

Serie OptiMOS™ 5

Estado del producto Active

Tipo FET N-Channel

Tecnología MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30 V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C 12A (Ta), 40A (Tc)

Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado) 4.5V, 10V

rds activados (máx.) @ id, vgs 7mOhm @ 20A, 10V

vgs(th) (máx.) @ id 2V @ 250µA

Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs 10 nC @ 10 V

Vgs (máx.) ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds 670 pF @ 15 V

Función FET -

Disipación de potencia (máx.) -

Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje Surface Mount

Paquete de dispositivos del proveedor PG-TDSON-8 FL

Paquete / Caja 8-PowerTDFN

Número de producto base BSZ0911

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

BSZ0911LS

Hoja de datos HTML

BSZ0911LSATMA1-DG

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado de REACH REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Información Adicional

Paquete Estándar
5,000
Otros nombres
448-BSZ0911LSATMA1CT
448-BSZ0911LSATMA1DKR
448-BSZ0911LSATMA1TR
SP005424280
SP00542428

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Dec 02, 2025
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Preguntas Frecuentes (FAQ)

¿Cuáles son las principales características del MOSFET N-Channel Infineon OptiMOS™ 5 BSZ0911LSATMA1?
Este MOSFET ofrece una clasificación de voltaje de 30 V y soporta corrientes de drenaje continuas de hasta 12 A a 25°C, con una corriente máxima de pulso de 40 A. Presenta una resistencia Rds On baja de 7 mΩ a 20 A y 10 V, lo que lo hace adecuado para aplicaciones de alta eficiencia en protección de potencia.
¿Es compatible el MOSFET BSZ0911LSATMA1 con diseños de PCB de montaje superficial?
Sí, este MOSFET está diseñado para montaje superficial utilizando el paquete PG-TDSON-8 FL, ideal para diseños compactos de PCB y aplicaciones de alta densidad.
¿Cuáles son los usos típicos del MOSFET N-Channel Infineon BSZ0911LSATMA1?
Este MOSFET es adecuado para diversas aplicaciones de conmutación de potencia, como controladores de motores, fuentes de alimentación y interruptores de carga, gracias a su alta capacidad de corriente y sus características de baja Rds On.
¿Cómo garantiza el rango de temperatura de funcionamiento de este MOSFET su fiabilidad en diferentes entornos?
Con un rango de temperatura de funcionamiento de -55°C a 150°C, este MOSFET mantiene un rendimiento estable en diversas condiciones, asegurando su fiabilidad en aplicaciones industriales y automotrices.
¿Qué garantía y soporte están disponibles para la compra del MOSFET Infineon BSZ0911LSATMA1?
Este producto es una unidad nueva, original y en stock, con respaldo y garantía del fabricante. Además, su compatibilidad con RoHS3 asegura el cumplimiento de estándares ambientales.
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