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CY14B101LA-SP25XI
Infineon Technologies
IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 48SSOP
2003 Pcs Nuevos Originales En Stock
NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 1Mbit Parallel 25 ns 48-SSOP
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CY14B101LA-SP25XI Infineon Technologies
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CY14B101LA-SP25XI

Descripción del producto

6326648

Número de pieza

CY14B101LA-SP25XI-DG
CY14B101LA-SP25XI

Descripción

IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 48SSOP

Inventario

2003 Pcs Nuevos Originales En Stock
NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 1Mbit Parallel 25 ns 48-SSOP
Memoria
Cantidad
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CY14B101LA-SP25XI Especificaciones Técnicas

Categoría Memoria, Memoria

Embalaje Tube

Serie -

Estado del producto Active

DiGi-Electronics programable Not Verified

Tipo de memoria Non-Volatile

Formato de memoria NVSRAM

Tecnología NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

Tamaño de la memoria 1Mbit

Organización de la memoria 128K x 8

Interfaz de memoria Parallel

Tiempo de ciclo de escritura - Word, Página 25ns

Tiempo de entrada 25 ns

Voltaje - Suministro 2.7V ~ 3.6V

Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 85°C (TA)

Tipo de montaje Surface Mount

Paquete / Caja 48-BSSOP (0.295", 7.50mm Width)

Paquete de dispositivos del proveedor 48-SSOP

Número de producto base CY14B101

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

CY14B101LA/NA

Hoja de datos HTML

CY14B101LA-SP25XI-DG

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 3 (168 Hours)
Estado de REACH REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS 8542.32.0041

Información Adicional

Paquete Estándar
30
Otros nombres
2156-CY14B101LA-SP25XI
SP005638171
-CY14B101LA-SP25XI
CY14B101LASP25XI
CYPCYPCY14B101LA-SP25XI
2832-CY14B101LA-SP25XI
2015-CY14B101LA-SP25XI

Reviews

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하늘***지는꿈
Dec 02, 2025
5.0
제품 후처리 서비스가 훌륭하며, 고객의 문제에 귀 기울여 해결책을 제시해 주셔서 감사하다.
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Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
5.0
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Dec 02, 2025
5.0
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Preguntas Frecuentes (FAQ)

¿Cuál es la función principal del chip de memoria IC CY14B101LA-SP25XI de Infineon?

El CY14B101LA-SP25XI es un chip de memoria SRAM no volátil (NVSRAM) que combina la velocidad de la SRAM con el almacenamiento persistente de datos, ideal para aplicaciones que requieren operaciones rápidas de lectura y escritura con retención de datos durante la pérdida de energía.

¿Es compatible la memoria NVSRAM de Infineon con los paquetes estándar 48-SSOP?

Sí, el CY14B101LA-SP25XI viene en un paquete de superficie 48-SSOP, lo que lo hace compatible con diseños estándar de PCB y adecuado para aplicaciones con espacio limitado.

¿Cuáles son los rangos de voltaje y temperatura para la NVSRAM CY14B101LA-SP25XI?

Esta NVSRAM opera en un rango de voltaje de 2.7V a 3.6V y puede funcionar de forma confiable entre -40°C y 85°C, siendo adecuada para entornos industriales y embebidos.

¿Cuáles son las ventajas de utilizar una SRAM no volátil como la CY14B101LA-SP25XI en comparación con la SRAM tradicional?

La SRAM no volátil mantiene los datos incluso durante fallos de energía, ofreciendo tiempos de acceso rápidos con ciclo de 25 ns y almacenamiento persistente, lo que reduce la necesidad de baterías de respaldo y mejora la seguridad de los datos.

¿Cómo garantiza la memoria IC CY14B101LA-SP25XI la seguridad de los datos y la fiabilidad del almacenamiento a largo plazo?

La NVSRAM utiliza tecnología interna no volátil para preservar los datos durante interrupciones, y cumple con las normas RoHS, asegurando un funcionamiento ambientalmente seguro y confiable en diversas aplicaciones.

Aseguramiento de Calidad (QC)

DiGi garantiza la calidad y autenticidad de cada componente electrónico mediante inspecciones profesionales y muestreos por lote, asegurando un abastecimiento confiable, un rendimiento estable y el cumplimiento de las especificaciones técnicas, ayudando a los clientes a reducir los riesgos en la cadena de suministro y a usar los componentes en producción con confianza.

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Prevención de falsificaciones y defectos

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Inspección visual y de embalaje

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