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CY62167ESL-55FNXIT
Infineon Technologies
IC SRAM 16MBIT PARALLEL 60WLCSP
6068 Pcs Nuevos Originales En Stock
SRAM - Asynchronous Memory IC 16Mbit Parallel 55 ns 60-WLCSP (5.81x4.65)
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CY62167ESL-55FNXIT
Descripción del producto
6325762
Número de pieza
CY62167ESL-55FNXIT-DGFabricante
Infineon Technologies
CY62167ESL-55FNXIT
Descripción
IC SRAM 16MBIT PARALLEL 60WLCSPInventario
6068 Pcs Nuevos Originales En Stock
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CY62167ESL-55FNXIT Especificaciones Técnicas
Categoría
Memoria, Memoria
Embalaje
-
Serie
MoBL®
Estado del producto
Obsolete
DiGi-Electronics programable
Not Verified
Tipo de memoria
Volatile
Formato de memoria
SRAM
Tecnología
SRAM - Asynchronous
Tamaño de la memoria
16Mbit
Organización de la memoria
2M x 8, 1M x 16
Interfaz de memoria
Parallel
Tiempo de ciclo de escritura - Word, Página
55ns
Tiempo de entrada
55 ns
Voltaje - Suministro
1.65V ~ 1.95V
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
60-UFBGA, WLCSP
Paquete de dispositivos del proveedor
60-WLCSP (5.81x4.65)
Número de producto base
CY62167
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
CY62167ESL MoBL
Hoja de datos HTML
CY62167ESL-55FNXIT-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
3A991B2A
HTSUS
8542.32.0041
Información Adicional
Paquete Estándar
2,000
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Dec 02, 2025
Le support post-achat est très professionnel, toujours prêt à aider.
Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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Preguntas Frecuentes (FAQ)
¿Cuáles son las principales características del chip de memoria SRAM CY62167ESL-55FNXIT?
El CY62167ESL-55FNXIT es una SRAM asincrónica de 16 Mbit con un tiempo de acceso de 55 ns, diseñada para aplicaciones de memoria de alta velocidad. Cuenta con una interfaz paralela, opera a un voltaje de 1.65V a 1.95V y está disponible en un paquete WLCSP de 60 pines, adecuado para componentes de montaje superficial.
¿Es compatible la SRAM CY62167ESL-55FNXIT con otros módulos de memoria?
Sí, este módulo de SRAM utiliza una interfaz paralela y una organización de memoria estándar (2M x 8 o 1M x 16), lo que lo hace compatible con sistemas que soportan SRAM asincrónica con especificaciones similares. Verifique la compatibilidad de voltaje y encapsulado de su sistema antes de la integración.
¿Cuáles son las aplicaciones típicas para este chip de SRAM asincrónica de 16 Mbit?
Esta SRAM es ideal para buffers de datos de alta velocidad, memoria caché y sistemas embebidos que requieren memoria volátil rápida y confiable con un tamaño compacto. Su amplio rango de temperaturas la hace adecuada para aplicaciones industriales.
¿Qué debo saber sobre la fuente de alimentación y las condiciones operativas de esta SRAM?
La SRAM funciona con un voltaje de alimentación de 1.65V a 1.95V y puede operar en un rango de temperaturas de -40°C a 85°C, lo que la hace apta para aplicaciones tanto en entornos estándar como en condiciones adversas. Asegúrese de que la fuente de energía y las condiciones ambientales cumplan con estas especificaciones para un rendimiento óptimo.
¿El módulo de SRAM CY62167ESL-55FNXIT cuenta con alguna garantía o soporte postventa?
El módulo es stock nuevo y original, cumple con RoHS3, y puede contactar al proveedor para soporte y garantía postventa. Consulte la política del fabricante para detalles sobre la cobertura de la garantía y asistencia técnica.
Aseguramiento de Calidad (QC)
DiGi garantiza la calidad y autenticidad de cada componente electrónico mediante inspecciones profesionales y muestreos por lote, asegurando un abastecimiento confiable, un rendimiento estable y el cumplimiento de las especificaciones técnicas, ayudando a los clientes a reducir los riesgos en la cadena de suministro y a usar los componentes en producción con confianza.
CY62167ESL-55FNXIT CAD Models
Infineon Technologies CY62167ESL-55FNXIT PCB symbols & footprints
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