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CY7C1059DV33-10ZSXI
Infineon Technologies
IC SRAM 8MBIT PARALLEL 44TSOP II
1271 Pcs Nuevos Originales En Stock
SRAM - Asynchronous Memory IC 8Mbit Parallel 10 ns 44-TSOP II
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CY7C1059DV33-10ZSXI
Descripción del producto
6330190
Número de pieza
CY7C1059DV33-10ZSXI-DGFabricante
Infineon Technologies
CY7C1059DV33-10ZSXI
Descripción
IC SRAM 8MBIT PARALLEL 44TSOP IIInventario
1271 Pcs Nuevos Originales En Stock
SRAM - Asynchronous Memory IC 8Mbit Parallel 10 ns 44-TSOP II
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CY7C1059DV33-10ZSXI Especificaciones Técnicas
Categoría
Memoria, Memoria
Embalaje
Tray
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
DiGi-Electronics programable
Not Verified
Tipo de memoria
Volatile
Formato de memoria
SRAM
Tecnología
SRAM - Asynchronous
Tamaño de la memoria
8Mbit
Organización de la memoria
1M x 8
Interfaz de memoria
Parallel
Tiempo de ciclo de escritura - Word, Página
10ns
Tiempo de entrada
10 ns
Voltaje - Suministro
3V ~ 3.6V
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Paquete de dispositivos del proveedor
44-TSOP II
Número de producto base
CY7C1059
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
CY7C1059DV33
Hoja de datos HTML
CY7C1059DV33-10ZSXI-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
3 (168 Hours)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
3A991B2A
HTSUS
8542.32.0041
Información Adicional
Paquete Estándar
270
Otros nombres
CYPCYPCY7C1059DV33-10ZSXI
CG8836AM
2015-CY7C1059DV33-10ZSXI
SP005638249
CY7C1059DV3310ZSXI
2156-CY7C1059DV33-10ZSXI
2832-CY7C1059DV33-10ZSXI
Piezas alternativas
NÚMERO DE PARTE
FABRICANTE
CANTIDAD DISPONIBLE
NÚMERO DE PIEZA
PRECIO UNITARIO
TIPO DE SUSTITUCIÓN
IS61WV10248EDBLL-10TLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
19300
IS61WV10248EDBLL-10TLI-DG
0.0673
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Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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Preguntas Frecuentes (FAQ)
¿Cuáles son las características principales del chip de memoria SRAM CY7C1059DV33-10ZSXI?
El CY7C1059DV33-10ZSXI es una memoria SRAM asincrónica de 8 Mbit con un tiempo de acceso de 10 ns, en paquete 44-TSOP II, que opera a un voltaje de 3V a 3.6V, lo que lo hace adecuado para aplicaciones de alta velocidad y espacio restringido.
¿Es compatible la memoria SRAM CY7C1059DV33-10ZSXI con interfaces de memoria estándar?
Sí, esta SRAM cuenta con una interfaz de memoria paralela de organización 1M x 8, garantizando compatibilidad con la mayoría de controladores de memoria y sistemas que soportan módulos de SRAM paralela.
¿Cuáles son los usos o aplicaciones típicas de esta memoria SRAM paralela de 8 Mbit?
Es ideal para almacenamiento en búfer de datos de alta velocidad, memoria caché o sistemas embebidos que requieren memoria volátil con tiempos de acceso rápidos en entornos industriales, comunicaciones o electrónica de consumo.
¿Es adecuada la CY7C1059DV33-10ZSXI para operara en diferentes rangos de temperatura?
Sí, puede funcionar de manera confiable en un rango de temperatura de -40 °C a 85 °C, siendo apta tanto para aplicaciones industriales como comerciales.
¿Qué aspectos debo considerar al comprar esta memoria SRAM en cuanto a garantía y soporte?
La SRAM está disponible como stock nuevo y original, cumple con la normativa RoHS3; sin embargo, dado que es un producto obsoleto, se recomienda verificar la disponibilidad en el suministro y buscar sustitutos adecuados si es necesario.
Aseguramiento de Calidad (QC)
DiGi garantiza la calidad y autenticidad de cada componente electrónico mediante inspecciones profesionales y muestreos por lote, asegurando un abastecimiento confiable, un rendimiento estable y el cumplimiento de las especificaciones técnicas, ayudando a los clientes a reducir los riesgos en la cadena de suministro y a usar los componentes en producción con confianza.
CY7C1059DV33-10ZSXI CAD Models
Infineon Technologies CY7C1059DV33-10ZSXI PCB symbols & footprints
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