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CY7C1413KV18-250BZC
Infineon Technologies
IC SRAM 36MBIT PAR 165FBGA
1796 Pcs Nuevos Originales En Stock
SRAM - Synchronous, QDR II Memory IC 36Mbit Parallel 250 MHz 165-FBGA (13x15)
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CY7C1413KV18-250BZC
Descripción del producto
6330798
Número de pieza
CY7C1413KV18-250BZC-DGFabricante
Infineon Technologies
CY7C1413KV18-250BZC
Descripción
IC SRAM 36MBIT PAR 165FBGAInventario
1796 Pcs Nuevos Originales En Stock
SRAM - Synchronous, QDR II Memory IC 36Mbit Parallel 250 MHz 165-FBGA (13x15)
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CY7C1413KV18-250BZC Especificaciones Técnicas
Categoría
Memoria, Memoria
Embalaje
Tray
Serie
-
Estado del producto
Last Time Buy
DiGi-Electronics programable
Not Verified
Tipo de memoria
Volatile
Formato de memoria
SRAM
Tecnología
SRAM - Synchronous, QDR II
Tamaño de la memoria
36Mbit
Organización de la memoria
2M x 18
Interfaz de memoria
Parallel
Frecuencia del reloj
250 MHz
Tiempo de ciclo de escritura - Word, Página
-
Voltaje - Suministro
1.7V ~ 1.9V
Temperatura de funcionamiento
0°C ~ 70°C (TA)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
165-LBGA
Paquete de dispositivos del proveedor
165-FBGA (13x15)
Número de producto base
CY7C1413
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
CY7C14xxKV18
Hoja de datos HTML
CY7C1413KV18-250BZC-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
RoHS non-compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
3 (168 Hours)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
3A991B2A
HTSUS
8542.32.0041
Información Adicional
Paquete Estándar
680
Otros nombres
-CY7C1413KV18-250BZC
2156-CY7C1413KV18-250BZC
CYPCYPCY7C1413KV18-250BZC
CY7C1413KV18250BZC
2832-CY7C1413KV18-250BZC
SP005639125
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Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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Preguntas Frecuentes (FAQ)
¿Cuál es el uso principal del IC de memoria SRAM CY7C1413KV18-250BZC?
El SRAM CY7C1413KV18-250BZC se utiliza para almacenamiento de datos de alta velocidad y ancho de banda en aplicaciones como equipos de redes, centros de datos y sistemas de computación avanzada, ofreciendo un rendimiento confiable de memoria volátil.
¿Es compatible el IC de memoria SRAM CY7C1413KV18-250BZC con los sistemas existentes en las placas base?
Sí, este IC SRAM cuenta con una interfaz de memoria paralela y un paquete 165-FBGA, lo que lo hace compatible con sistemas diseñados para módulos de SRAM de alta velocidad, siempre que el voltaje y la configuración de pines coincidan con las especificaciones de su placa base.
¿Cuáles son las características principales del IC de memoria CY7C1413KV18-250BZC?
Este IC de SRAM ofrece una capacidad de almacenamiento de 36 Mbit, opera a una frecuencia de reloj de 250 MHz, con una organización de memoria de 2M x 18, y funciona en un rango de voltaje de 1.7V a 1.9V, garantizando un acceso rápido y eficiente a los datos.
¿Cumple el CY7C1413KV18-250BZC con la normativa RoHS y estándares ambientales?
Este módulo de memoria no cumple con RoHS pero sí con las normas REACH, lo que indica que no cumple completamente con las directivas ambientales RoHS, pero sigue siendo apto para su uso en la mayoría de las aplicaciones industriales.
¿Cómo debo manipular y almacenar el IC de memoria SRAM CY7C1413KV18-250BZC para asegurar su durabilidad?
El IC SRAM debe almacenarse en su embalaje antiestático y manipularse con las precauciones adecuadas contra ESD. Tiene un nivel de sensibilidad a la humedad MSL 3, por lo que debe guardarse en ambientes controlados y, si es necesario, someterlo a un proceso de secado antes de el proceso de soldadura por reflujo.
Aseguramiento de Calidad (QC)
DiGi garantiza la calidad y autenticidad de cada componente electrónico mediante inspecciones profesionales y muestreos por lote, asegurando un abastecimiento confiable, un rendimiento estable y el cumplimiento de las especificaciones técnicas, ayudando a los clientes a reducir los riesgos en la cadena de suministro y a usar los componentes en producción con confianza.
CY7C1413KV18-250BZC CAD Models
Infineon Technologies CY7C1413KV18-250BZC PCB symbols & footprints
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