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Inspección visual y de embalaje
Verificación del rendimiento eléctrico
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IRFI4212H-117PXKMA1
Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 100V 11A TO220-5
19610 Pcs Nuevos Originales En Stock
Mosfet Array 100V 11A (Tc) 18W (Tc) Through Hole TO-220-5 Full-Pak
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IRFI4212H-117PXKMA1
Descripción del producto
12983286
Número de pieza
IRFI4212H-117PXKMA1-DGFabricante
Infineon Technologies
IRFI4212H-117PXKMA1
Descripción
MOSFET 2N-CH 100V 11A TO220-5Inventario
19610 Pcs Nuevos Originales En Stock
Mosfet Array 100V 11A (Tc) 18W (Tc) Through Hole TO-220-5 Full-Pak
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IRFI4212H-117PXKMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
Transistores, FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Embalaje
Tube
Serie
-
Estado del producto
Active
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Configuración
2 N-Channel (Dual)
Función FET
-
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
11A (Tc)
rds activados (máx.) @ id, vgs
72.5mOhm @ 6.6A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
18nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
490pF @ 50V
Potencia - Máx.
18W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Caja
TO-220-5 Full Pack, Formed Leads
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220-5 Full-Pak
Número de producto base
IRFI4212
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
IRFI4212H-117P
Hoja de datos HTML
IRFI4212H-117PXKMA1-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
448-IRFI4212H-117PXKMA1
SP005547285
2156-IRFI4212H-117PXKMA1
Reviews
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Dec 02, 2025
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Preguntas Frecuentes (FAQ)
¿Cuáles son las principales características del conjunto de MOSFET IRFI4212H-117PXKMA1?
El conjunto de MOSFET IRFI4212H-117PXKMA1 es un conjunto dual de MOSFET de canal N con una clasificación de voltaje de 100V y una corriente de drenaje continua de 11A por canal, adecuado para aplicaciones de alta potencia. Cuenta con una baja Rds(on) de 72,5mΩ y una disipación de potencia de hasta 18W, garantizando un rendimiento eficiente.
¿Es compatible el conjunto de MOSFET IRFI4212H-117PXKMA1 con los procesos habituales de montaje en PCB?
Sí, este conjunto de MOSFET viene en un paquete completo TO-220-5 con patas formadas, lo que lo hace compatible con técnicas de montaje a través de orificio y adecuado tanto para prototipado como para producción en masa.
¿Cuáles son las aplicaciones típicas del conjunto de MOSFET IRFI4212H-117PXKMA1?
Este conjunto de MOSFET es ideal para conmutación de potencia, control de motores, convertidores DC-DC y otros circuitos electrónicos de alta corriente y alto voltaje donde se requiere una gestión eficiente de la energía y conmutación confiable.
¿Cómo funciona el conjunto de MOSFET IRFI4212H-117PXKMA1 en temperaturas extremas?
El conjunto de MOSFET funciona de manera eficaz en un rango de temperatura de -55°C a 150°C, permitiendo un rendimiento confiable en entornos adversos y condiciones de alta temperatura.
¿Cuáles son los beneficios de elegir el conjunto de MOSFET IRFI4212H-117PXKMA1 frente a otros conjuntos de MOSFET?
Su configuración de doble canal N, baja Rds(on), alta capacidad de corriente y tolerancia térmica robusta lo convierten en una opción rentable para conmutación eficiente de energía y gestión térmica en diversas aplicaciones electrónicas.
Aseguramiento de Calidad (QC)
DiGi garantiza la calidad y autenticidad de cada componente electrónico mediante inspecciones profesionales y muestreos por lote, asegurando un abastecimiento confiable, un rendimiento estable y el cumplimiento de las especificaciones técnicas, ayudando a los clientes a reducir los riesgos en la cadena de suministro y a usar los componentes en producción con confianza.
IRFI4212H-117PXKMA1 CAD Models
Infineon Technologies IRFI4212H-117PXKMA1 PCB symbols & footprints
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