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SI01P10-TP
Micro Commercial Co
MOSFET P-CH 100V 1A SOT23
544327 Pcs Nuevos Originales En Stock
P-Channel 100 V 1A (Tj) 770mW Surface Mount SOT-23
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SI01P10-TP
Descripción del producto
12945118
Número de pieza
SI01P10-TP-DGFabricante
Micro Commercial Co
SI01P10-TP
Descripción
MOSFET P-CH 100V 1A SOT23Inventario
544327 Pcs Nuevos Originales En Stock
P-Channel 100 V 1A (Tj) 770mW Surface Mount SOT-23
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SI01P10-TP Especificaciones Técnicas
Categoría
Transistores, FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Embalaje
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
1A (Tj)
rds activados (máx.) @ id, vgs
800mOhm @ 1A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
3.2 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
388 pF @ 40 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
770mW
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
SOT-23
Paquete / Caja
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Número de producto base
SI01P10
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Descargar SI01P10-TP Especificaciones del producto (PDF)
Hojas de datos
SI01P10
Hoja de datos HTML
SI01P10-TP-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
353-SI01P10-TPTR
353-SI01P10-TPCT
353-SI01P10-TPDKR
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
Dec 02, 2025
DiGi Electronics bietet großartige Angebote bei freundlichem Kundenservice – sehr zu empfehlen.
Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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Preguntas Frecuentes (FAQ)
¿Cuáles son las características principales del transistor MOSFET de canal P SI01P10-TP?
El SI01P10-TP es un transistor MOSFET de canal P con una tensión nominal de 100V, una corriente de drenaje continua de 1A y una resistencia Rds On baja de 800mΩ. Está diseñado para montaje en superficie en encapsulado SOT-23, adecuado para aplicaciones de conmutación de alto rendimiento.
¿Es compatible el MOSFET SI01P10-TP con circuitos electrónicos comunes?
Sí, el SI01P10-TP es compatible con circuitos estándar que requieren transistores MOSFET de canal P, operando de manera segura en un rango de temperatura de -55°C a 150°C y soportando Vgs hasta ±20V, lo que lo hace versátil para diversos diseños electrónicos.
¿Qué ventajas ofrece el MOSFET SI01P10-TP para la gestión de energía?
Este MOSFET proporciona conmutación de energía eficiente con una resistencia en estado de conducción baja y una disipación máxima de potencia de 770mW, garantizando un rendimiento confiable en aplicaciones de gestión de energía y conmutación de cargas.
¿Cómo se instala y manipula el MOSFET SI01P10-TP en encapsulado SOT-23?
El SI01P10-TP está diseñado para montaje en superficie, lo que facilita su instalación mediante técnicas SMT estándar. Su cumplimiento con RoHS3 asegura compatibilidad ambiental y aptitud para el ensamblaje en PCB moderno.
¿El MOSFET SI01P10-TP cuenta con garantía o soporte técnico?
Dado que el producto está en stock como artículo nuevo y original, generalmente cuenta con la garantía y soporte técnico del fabricante o distribuidor para garantizar un rendimiento y fiabilidad óptimos.
Aseguramiento de Calidad (QC)
DiGi garantiza la calidad y autenticidad de cada componente electrónico mediante inspecciones profesionales y muestreos por lote, asegurando un abastecimiento confiable, un rendimiento estable y el cumplimiento de las especificaciones técnicas, ayudando a los clientes a reducir los riesgos en la cadena de suministro y a usar los componentes en producción con confianza.
SI01P10-TP CAD Models
Micro Commercial Co SI01P10-TP PCB symbols & footprints
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