SI01P10-TP Micro Commercial Co
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SI01P10-TP

Descripción del producto

12945118

Número de pieza

SI01P10-TP-DG
SI01P10-TP

Descripción

MOSFET P-CH 100V 1A SOT23

Inventario

32218 Pcs Nuevos Originales En Stock
P-Channel 100 V 1A (Tj) 770mW Surface Mount SOT-23
Cantidad
Mínimo 1

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  • 30000 0.09 2602.68
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SI01P10-TP Especificaciones Técnicas

Categoría FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs

Embalaje Tape & Reel (TR)

Serie -

Estado del producto Active

Tipo FET P-Channel

Tecnología MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100 V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C 1A (Tj)

rds activados (máx.) @ id, vgs 800mOhm @ 1A, 10V

vgs(th) (máx.) @ id 3V @ 250µA

Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs 3.2 nC @ 10 V

Vgs (máx.) ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds 388 pF @ 40 V

Función FET -

Disipación de potencia (máx.) 770mW

Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje Surface Mount

Paquete de dispositivos del proveedor SOT-23

Paquete / Caja TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Número de producto base SI01P10

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

SI01P10

Hoja de datos HTML

SI01P10-TP-DG

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado de REACH REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS 8541.21.0095

Información Adicional

Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
353-SI01P10-TPTR
353-SI01P10-TPCT
353-SI01P10-TPDKR
Certificación DIGI
Blogs y Publicaciones