SIHP24N65E-E3
SIHP24N65E-E3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 650V 24A TO220AB
16982 Pcs Nuevos Originales En Stock
N-Channel 650 V 24A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220AB
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SIHP24N65E-E3 Vishay Siliconix
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SIHP24N65E-E3

Descripción del producto

12786510

Número de pieza

SIHP24N65E-E3-DG
SIHP24N65E-E3

Descripción

MOSFET N-CH 650V 24A TO220AB

Inventario

16982 Pcs Nuevos Originales En Stock
N-Channel 650 V 24A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220AB
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SIHP24N65E-E3 Especificaciones Técnicas

Categoría Transistores, FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs

Fabricante Vishay

Embalaje Tube

Serie -

Estado del producto Active

Tipo FET N-Channel

Tecnología MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650 V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C 24A (Tc)

Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado) 10V

rds activados (máx.) @ id, vgs 145mOhm @ 12A, 10V

vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA

Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs 122 nC @ 10 V

Vgs (máx.) ±30V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds 2740 pF @ 100 V

Función FET -

Disipación de potencia (máx.) 250W (Tc)

Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje Through Hole

Paquete de dispositivos del proveedor TO-220AB

Paquete / Caja TO-220-3

Número de producto base SIHP24

Hoja de Datos y Documentos

Hoja de datos HTML

SIHP24N65E-E3-DG

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Información Adicional

Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
SIHP24N65EE3

Modelos Alternativos

NÚMERO DE PARTE
FABRICANTE
CANTIDAD DISPONIBLE
NÚMERO DE PIEZA
PRECIO UNITARIO
TIPO DE SUSTITUCIÓN
FCP16N60N
Fairchild Semiconductor
5644
FCP16N60N-DG
2.1552
MFR Recommended
IPP65R150CFDAAKSA1
Infineon Technologies
1496
IPP65R150CFDAAKSA1-DG
2.7307
MFR Recommended
IPP65R190C7FKSA1
Infineon Technologies
1575
IPP65R190C7FKSA1-DG
1.2725
MFR Recommended
FCP110N65F
onsemi
1136
FCP110N65F-DG
2.9609
MFR Recommended
FCP150N65F
onsemi
3931
FCP150N65F-DG
2.3064
MFR Recommended

Reviews

5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
슬***세상
Dec 02, 2025
4.9
포장 상태가 일관되게 좋아서 언제나 믿고 주문할 수 있어요. 배송 추적도 정확하고 빠르게 확인 가능했습니다.
Chill***esOnly
Dec 02, 2025
4.9
The eco packaging was easy to recycle and showed real concern for the environment.
Peac***lPath
Dec 02, 2025
4.9
I appreciate their commitment to providing quality at a friendly price point.
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Preguntas Frecuentes (FAQ)

¿Cuáles son las características principales del MOSFET N-channel Vishay SIHP24N65E-E3?
El Vishay SIHP24N65E-E3 es un MOSFET N-channel de alto voltaje con una capacidad de 650V y una corriente de drenaje continua de 24A. Cuenta con un paquete TO-220AB, una baja resistencia Rds On de 145mΩ a 12A, y es adecuado para aplicaciones de conmutación de alta potencia.
¿Es el MOSFET Vishay SIHP24N65E-E3 adecuado para conmutación de potencia de alto voltaje?
Sí, con una tensión de drenaje a fuente de 650V, este MOSFET es ideal para conmutación de potencia de alto voltaje y aplicaciones industriales que requieren una gestión resistente del voltaje y un rendimiento confiable.
¿Cuál es el rango máximo de temperatura de operación de este MOSFET?
El MOSFET puede funcionar de manera efectiva en un rango de temperatura de -55°C a 150°C, lo que lo hace apto para diversos entornos exigentes y condiciones térmicas.
¿Qué tan compatible es el MOSFET Vishay SIHP24N65E-E3 con diferentes circuitos electrónicos?
Este MOSFET utiliza un paquete estándar TO-220AB y requiere un voltaje de conducción de aproximadamente 10V para optimizar la resistencia Rds On, por lo que es compatible con la mayoría de los diseños de circuitos de potencia y controladores.
¿Cuáles son las ventajas de usar el MOSFET Vishay SIHP24N65E-E3 en comparación con dispositivos similares?
Su alto voltaje de operación, baja resistencia Rds On y alta capacidad de disipación de potencia (hasta 250W) contribuyen a un manejo eficiente de la energía y un rendimiento térmico óptimo, siendo adecuado para aplicaciones de alta potencia y tareas de conmutación exigentes.
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