SIR330DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
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SIR330DP-T1-GE3

Descripción del producto

12787211

Número de pieza

SIR330DP-T1-GE3-DG
SIR330DP-T1-GE3

Descripción

MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8

Inventario

12450 Pcs Nuevos Originales En Stock
N-Channel 30 V 35A (Tc) 5W (Ta), 27.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Cantidad
Mínimo 1

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SIR330DP-T1-GE3 Especificaciones Técnicas

Categoría FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs

Fabricante Vishay

Embalaje -

Serie TrenchFET®

Estado del producto Obsolete

Tipo FET N-Channel

Tecnología MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30 V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C 35A (Tc)

Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado) 4.5V, 10V

rds activados (máx.) @ id, vgs 5.6mOhm @ 10A, 10V

vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 250µA

Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs 35 nC @ 10 V

Vgs (máx.) ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds 1300 pF @ 15 V

Función FET -

Disipación de potencia (máx.) 5W (Ta), 27.7W (Tc)

Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje Surface Mount

Paquete de dispositivos del proveedor PowerPAK® SO-8

Paquete / Caja PowerPAK® SO-8

Número de producto base SIR330

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

SIR330DP-T1-GE3

Hoja de datos HTML

SIR330DP-T1-GE3-DG

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado de REACH REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Información Adicional

Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
SIR330DP-T1-GE3DKR
SIR330DP-T1-GE3TR
SIR330DP-T1-GE3-DG
SIR330DP-T1-GE3CT

Modelos Alternativos

NÚMERO DE PARTE
FABRICANTE
CANTIDAD DISPONIBLE
NÚMERO DE PIEZA
PRECIO UNITARIO
TIPO DE SUSTITUCIÓN
STL90N3LLH6
STMicroelectronics
3200
STL90N3LLH6-DG
2.8529
MFR Recommended
CSD17577Q5AT
Texas Instruments
2866
CSD17577Q5AT-DG
2.0521
MFR Recommended
CSD17552Q5A
Texas Instruments
25300
CSD17552Q5A-DG
0.3500
MFR Recommended
CSD17577Q5A
Texas Instruments
6200
CSD17577Q5A-DG
0.2300
MFR Recommended
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