SIR484DP-T1-GE3
SIR484DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 20A PPAK SO-8
17200 Pcs Nuevos Originales En Stock
N-Channel 20 V 20A (Tc) 3.9W (Ta), 29.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
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SIR484DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
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SIR484DP-T1-GE3

Descripción del producto

12787770

Número de pieza

SIR484DP-T1-GE3-DG
SIR484DP-T1-GE3

Descripción

MOSFET N-CH 20V 20A PPAK SO-8

Inventario

17200 Pcs Nuevos Originales En Stock
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SIR484DP-T1-GE3 Especificaciones Técnicas

Categoría Transistores, FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs

Fabricante Vishay

Embalaje -

Serie TrenchFET®

Estado del producto Obsolete

Tipo FET N-Channel

Tecnología MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20 V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C 20A (Tc)

Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado) 4.5V, 10V

rds activados (máx.) @ id, vgs 8.3mOhm @ 17.2A, 10V

vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 250µA

Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs 23 nC @ 10 V

Vgs (máx.) ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds 830 pF @ 10 V

Función FET -

Disipación de potencia (máx.) 3.9W (Ta), 29.8W (Tc)

Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje Surface Mount

Paquete de dispositivos del proveedor PowerPAK® SO-8

Paquete / Caja PowerPAK® SO-8

Número de producto base SIR484

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

SIR484DP

Hoja de datos HTML

SIR484DP-T1-GE3-DG

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Información Adicional

Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
SIR484DP-T1-GE3TR
SIR484DP-T1-GE3CT
SIR484DP-T1-GE3DKR
SIR484DP-T1-GE3-DG
SIR484DPT1GE3

Modelos Alternativos

NÚMERO DE PARTE
FABRICANTE
CANTIDAD DISPONIBLE
NÚMERO DE PIEZA
PRECIO UNITARIO
TIPO DE SUSTITUCIÓN
SIR172ADP-T1-GE3
Vishay Siliconix
47300
SIR172ADP-T1-GE3-DG
0.1245
MFR Recommended

Reseñas

Twilig***hisper
Dec 02, 2025
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Every purchase feels great thanks to their affordable prices and friendly assistance.
Chas***Light
Dec 02, 2025
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Excellent logistics and customer service—DiGi Electronics truly cares about their customers.
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Dec 02, 2025
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Preguntas Frecuentes (FAQ)

¿Cuáles son las principales características del MOSFET Vishay SIR484DP-T1-GE3?
El MOSFET Vishay SIR484DP-T1-GE3 es un dispositivo de montaje superficial de canal N con una tensión nominal de 20V y una corriente de drenaje continua de 20A, adecuado para aplicaciones de conmutación de alta corriente. Cuenta con una baja resistencia Rds(on) para una gestión eficiente de la energía y está diseñado con tecnología de trinchera para mejorar el rendimiento.
¿Es compatible el MOSFET Vishay SIR484DP-T1-GE3 con los diseños comunes de PCB?
Sí, este MOSFET viene en un paquete PowerPAK® SO-8, ampliamente utilizado en aplicaciones de montaje superficial y compatible con los procesos estándar de montaje en PCB, lo que lo hace adecuado para diversas soluciones electrónicas.
¿Cuáles son las aplicaciones típicas del MOSFET Vishay de 20V SIR484DP-T1-GE3?
Este MOSFET es ideal para conmutación de potencia, control de motores, convertidores DC-DC y otras aplicaciones que requieren conmutación eficiente de alta corriente con baja resistencia en estado on y capacidades de conmutación rápida.
¿Cuáles son las ventajas de utilizar el MOSFET Vishay SIR484DP-T1-GE3 en mi proyecto?
Este MOSFET ofrece una baja resistencia Rds(on), alta disipación de potencia y un amplio rango de temperaturas de operación, lo que contribuye a mejorar la eficiencia, reducir la generación de calor y ofrecer un rendimiento confiable en entornos electrónicos exigentes.
¿El MOSFET Vishay SIR484DP-T1-GE3 cuenta con garantía o soporte tras la compra?
Como un componente de alta calidad de Vishay, este MOSFET está respaldado por las garantías y soporte estándar de la industria. Además, cumple con la normativa RoHS3, garantizando estándares de fabricación ecológicos. Consulte a su proveedor para detalles específicos de la garantía.
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