SIS424DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
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SIS424DN-T1-GE3

Descripción del producto

12785994

Número de pieza

SIS424DN-T1-GE3-DG

Fabricante

Vishay Siliconix
SIS424DN-T1-GE3

Descripción

MOSFET N-CH 20V 35A PPAK 1212-8

Inventario

956 Pcs Nuevos Originales En Stock
N-Channel 20 V 35A (Tc) 3.7W (Ta), 39W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
FETs individuales, MOSFETs
SIS424DN-T1-GE3 Hoja de datos
Cantidad
Mínimo 1

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SIS424DN-T1-GE3 Especificaciones Técnicas

Categoría FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs

Fabricante Vishay

Embalaje -

Serie TrenchFET®

Estado del producto Obsolete

Tipo FET N-Channel

Tecnología MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20 V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C 35A (Tc)

Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado) 4.5V, 10V

rds activados (máx.) @ id, vgs 6.4mOhm @ 19.6A, 10V

vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 250µA

Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs 30 nC @ 10 V

Vgs (máx.) ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds 1200 pF @ 10 V

Función FET -

Disipación de potencia (máx.) 3.7W (Ta), 39W (Tc)

Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje Surface Mount

Paquete de dispositivos del proveedor PowerPAK® 1212-8

Paquete / Caja PowerPAK® 1212-8

Número de producto base SIS424

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Descargar SIS424DN-T1-GE3 Especificaciones del producto (PDF)
Hoja de datos HTML

SIS424DN-T1-GE3-DG
Hojas de datos

SIS424DN

SIS424DN

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Información Adicional

Paquete Estándar
3,000
Certificación DIGI
ISO 209001_2015
ISO 209001_2015
ISO 14001_2015
ISO 2014001_2015
ISO 45001_2018
ISO 2045001_2018
DUNS REGISTERED
DUNS REGISTERED
Companines Registry
Companines Registry
ASA Certificate
ASA Certificate
UKAS
UKAS
ESD Certificate
ESD Certificate
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