SQ2325ES-T1_GE3 Vishay Siliconix
4.9 / 5.0 - (327 Calificaciones)

SQ2325ES-T1_GE3

Descripción del producto

12786149

Número de pieza

SQ2325ES-T1_GE3-DG
SQ2325ES-T1_GE3

Descripción

MOSFET P-CH 150V 840MA TO236

Inventario

15200 Pcs Nuevos Originales En Stock
P-Channel 150 V 840mA (Tc) 3W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Cantidad
Mínimo 1

Compra e consulta

RFQ (Solicitud de Cotizaciones)

Puedes enviar tu consulta de RFQ directamente en la página de detalles del producto o en la página de RFQ. Nuestro equipo de ventas responderá a tu solicitud dentro de 24 horas.

Método de pago

Ofrecemos varios métodos de pago convenientes, incluyendo PayPal (recomendado para nuevos clientes), tarjetas de crédito y transferencias bancarias (T/T) en USD, EUR, HKD y otros.

AVISO IMPORTANTE

Después de enviar la solicitud de cotización (RFQ), recibirás un correo electrónico en tu bandeja de entrada sobre la recepción de tu consulta. Si no lo recibes, nuestra dirección de correo electrónico puede haber sido identificada incorrectamente como spam. Por favor, revisa tu carpeta de spam y agrega nuestra dirección de correo electrónico [email protected] a tu lista blanca para asegurarte de recibir nuestra cotización. Debido a la posibilidad de fluctuaciones en el inventario y los precios, nuestro equipo de ventas necesita reconfirmar tu consulta o pedido y enviarte cualquier actualización por correo electrónico de manera oportuna. Si tienes alguna otra pregunta o necesitas ayuda adicional, no dudes en hacérnoslo saber.

En stock (Todos los precios son en USD)
  • CANT Precio objetivo Precio Total
  • 3000 0.2300 691.9900
  • 6000 0.2200 1296.8600
  • 9000 0.2000 1821.0200
  • 30000 0.2000 6075.2300
Mejor precio mediante Solicitud de Cotización en Línea
Solicitar Cotización(Envía mañana)
Cantidad
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas

SQ2325ES-T1_GE3 Especificaciones Técnicas

Categoría FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs

Fabricante Vishay

Embalaje Tape & Reel (TR)

Serie TrenchFET®

Estado del producto Active

Tipo FET P-Channel

Tecnología MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 150 V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C 840mA (Tc)

Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado) 10V

rds activados (máx.) @ id, vgs 1.77Ohm @ 500mA, 10V

vgs(th) (máx.) @ id 3.5V @ 250µA

Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs 10 nC @ 10 V

Vgs (máx.) ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds 250 pF @ 50 V

Función FET -

Disipación de potencia (máx.) 3W (Tc)

Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TA)

Grado Automotive

Calificación AEC-Q101

Tipo de montaje Surface Mount

Paquete de dispositivos del proveedor SOT-23-3 (TO-236)

Paquete / Caja TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Número de producto base SQ2325

Hoja de Datos y Documentos

Hoja de datos HTML

SQ2325ES-T1_GE3-DG

Hojas de datos

SQ2325ES

SQ2325ES

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Información Adicional

Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
742-SQ2325ES-T1_GE3DKR
742-SQ2325ES-T1_GE3CT
SQ2325ES-T1_GE3CT
742-SQ2325ES-T1_GE3TR
SQ2325ES-T1_GE3TR
SQ2325ES-T1_GE3CT-DG
SQ2325ES-T1_GE3TR-DG
Certificación DIGI
Blogs y Publicaciones