SUP40N10-30-E3 Vishay Siliconix
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SUP40N10-30-E3

Descripción del producto

12787219

Número de pieza

SUP40N10-30-E3-DG
SUP40N10-30-E3

Descripción

MOSFET N-CH 100V 40A TO220AB
N-Channel 100 V 40A (Tc) 3.75W (Ta), 107W (Tc) Through Hole TO-220AB
Cantidad
Mínimo 1

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SUP40N10-30-E3 Especificaciones Técnicas

Categoría FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs

Fabricante Vishay

Embalaje -

Serie TrenchFET®

Estado del producto Obsolete

Tipo FET N-Channel

Tecnología MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100 V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C 40A (Tc)

Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado) 6V, 10V

rds activados (máx.) @ id, vgs 30mOhm @ 15A, 10V

vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA

Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs 60 nC @ 10 V

Vgs (máx.) ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds 2400 pF @ 25 V

Función FET -

Disipación de potencia (máx.) 3.75W (Ta), 107W (Tc)

Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje Through Hole

Paquete de dispositivos del proveedor TO-220AB

Paquete / Caja TO-220-3

Número de producto base SUP40

Hoja de Datos y Documentos

Hoja de datos HTML

SUP40N10-30-E3-DG

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Información Adicional

Paquete Estándar
50
Otros nombres
SUP40N1030E3
SUP40N10-30-E3TRINACTIVE
SUP40N10-30-E3CT-DG
SUP40N10-30-E3TR-DG
SUP40N10-30-E3TR
SUP40N10-30-E3CT

Modelos Alternativos

NÚMERO DE PARTE
FABRICANTE
CANTIDAD DISPONIBLE
NÚMERO DE PIEZA
PRECIO UNITARIO
TIPO DE SUSTITUCIÓN
STP24NF10
STMicroelectronics
720
STP24NF10-DG
0.64
MFR Recommended
IRF540NPBF
Infineon Technologies
148341
IRF540NPBF-DG
0.46
MFR Recommended
PSMN009-100P,127
NXP Semiconductors
291
PSMN009-100P,127-DG
1.44
MFR Recommended
AUIRF540Z
Infineon Technologies
2924
AUIRF540Z-DG
1.03
MFR Recommended
STP60NF10
STMicroelectronics
980
STP60NF10-DG
1.23
MFR Recommended
Certificación DIGI
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