SIA459EDJ-T1-GE3 Vishay Siliconix
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SIA459EDJ-T1-GE3

Descripción del producto

13008977

Número de pieza

SIA459EDJ-T1-GE3-DG

Fabricante

Vishay Siliconix
SIA459EDJ-T1-GE3

Descripción

MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC70-6

Inventario

15200 Pcs Nuevos Originales En Stock
P-Channel 20 V 9A (Tc) 2.9W (Ta), 15.6W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6
FETs individuales, MOSFETs
SIA459EDJ-T1-GE3 Hoja de datos
Cantidad
Mínimo 1

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  • CANT Precio objetivo Precio Total
  • 3000 0.1500 449.2500
  • 6000 0.1400 839.4600
  • 9000 0.1300 1206.3100
  • 15000 0.1200 1870.5900
  • 21000 0.1300 2664.9000
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SIA459EDJ-T1-GE3 Especificaciones Técnicas

Categoría FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs

Fabricante Vishay

Embalaje Tape & Reel (TR)

Serie TrenchFET®

Embalaje Tape & Reel (TR)

Estado de la pieza Active

Tipo FET P-Channel

Tecnología MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20 V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C 9A (Tc)

Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado) 2.5V, 4.5V

rds activados (máx.) @ id, vgs 35mOhm @ 5A, 4.5V

vgs(th) (máx.) @ id 1.2V @ 250µA

Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs 30 nC @ 10 V

Vgs (máx.) ±12V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds 885 pF @ 10 V

Función FET -

Disipación de potencia (máx.) 2.9W (Ta), 15.6W (Tc)

Temperatura de funcionamiento -50°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje Surface Mount

Paquete de dispositivos del proveedor PowerPAK® SC-70-6

Paquete / Caja PowerPAK® SC-70-6

Número de producto base SIA459

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Descargar SIA459EDJ-T1-GE3 Especificaciones del producto (PDF)
Hoja de datos HTML

SIA459EDJ-T1-GE3-DG
Certificación DIGI
ISO 209001_2015
ISO 209001_2015
ISO 14001_2015
ISO 2014001_2015
ISO 45001_2018
ISO 2045001_2018
DUNS REGISTERED
DUNS REGISTERED
Companines Registry
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ASA Certificate
ASA Certificate
UKAS
UKAS
ESD Certificate
ESD Certificate
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