SIHP17N80E-GE3 Vishay Siliconix
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SIHP17N80E-GE3

Descripción del producto

13010786

Número de pieza

SIHP17N80E-GE3-DG
SIHP17N80E-GE3

Descripción

MOSFET N-CH 800V 15A TO220AB

Inventario

13465 Pcs Nuevos Originales En Stock
N-Channel 800 V 15A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-220AB
Cantidad
Mínimo 1

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SIHP17N80E-GE3 Especificaciones Técnicas

Categoría FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs

Fabricante Vishay

Embalaje Tube

Serie E

Embalaje Tube

Estado de la pieza Active

Tipo FET N-Channel

Tecnología MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 800 V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C 15A (Tc)

Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado) 10V

rds activados (máx.) @ id, vgs 290mOhm @ 8.5A, 10V

vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA

Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs 122 nC @ 10 V

Vgs (máx.) ±30V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds 2408 pF @ 100 V

Función FET -

Disipación de potencia (máx.) 208W (Tc)

Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje Through Hole

Paquete de dispositivos del proveedor TO-220AB

Paquete / Caja TO-220-3

Número de producto base SIHP17

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

SiHP17N80E

Hoja de datos HTML

SIHP17N80E-GE3-DG

Clasificación Ambiental y de Exportación

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Información Adicional

Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
SIHP17N80E-GE3-ND
742-SIHP17N80E-GE3
Certificación DIGI
Blogs y Publicaciones