SIHP17N80E-GE3
SIHP17N80E-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 15A TO220AB
18465 Pcs Nuevos Originales En Stock
N-Channel 800 V 15A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-220AB
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SIHP17N80E-GE3 Vishay Siliconix
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SIHP17N80E-GE3

Descripción del producto

13010786

Número de pieza

SIHP17N80E-GE3-DG
SIHP17N80E-GE3

Descripción

MOSFET N-CH 800V 15A TO220AB

Inventario

18465 Pcs Nuevos Originales En Stock
N-Channel 800 V 15A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-220AB
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SIHP17N80E-GE3 Especificaciones Técnicas

Categoría Transistores, FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs

Fabricante Vishay

Embalaje Tube

Serie E

Embalaje Tube

Estado de la pieza Active

Tipo FET N-Channel

Tecnología MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 800 V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C 15A (Tc)

Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado) 10V

rds activados (máx.) @ id, vgs 290mOhm @ 8.5A, 10V

vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA

Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs 122 nC @ 10 V

Vgs (máx.) ±30V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds 2408 pF @ 100 V

Función FET -

Disipación de potencia (máx.) 208W (Tc)

Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje Through Hole

Paquete de dispositivos del proveedor TO-220AB

Paquete / Caja TO-220-3

Número de producto base SIHP17

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

SiHP17N80E

Hoja de datos HTML

SIHP17N80E-GE3-DG

Clasificación Ambiental y de Exportación

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Información Adicional

Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
SIHP17N80E-GE3-ND
742-SIHP17N80E-GE3

Reseñas

AuraEnc***teresse
Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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Preguntas Frecuentes (FAQ)

¿Cuáles son las características clave del MOSFET Vishay SIHP17N80E-GE3?
El MOSFET Vishay SIHP17N80E-GE3 es un dispositivo de canal N con una tensión máxima de drenaje a source de 800 V, corriente continua de drenaje de 15 A y una disipación de potencia de hasta 208 W. Cuenta con un encapsulado TO-220AB, adecuado para aplicaciones de conmutación de alto voltaje, y opera en temperaturas que van desde -55 °C hasta 150 °C.
¿Es compatible el MOSFET Vishay SIHP17N80E-GE3 con los circuitos de potencia estándar?
Sí, este MOSFET está diseñado para su uso en circuitos de potencia de alto voltaje y puede integrarse fácilmente en fuentes de alimentación y aplicaciones de conmutación que requieran una tensión de 800 V. Su montaje por orificios lo hace adecuado para diseños tradicionales de módulos de potencia.
¿Cuáles son las ventajas de usar el MOSFET Vishay SIHP17N80E-GE3?
Este MOSFET ofrece una alta capacidad de manejo de voltaje, baja Rds(on) a 10 V en la puerta y un excelente rendimiento térmico, lo que ayuda a mejorar la eficiencia y reducir la disipación de calor en aplicaciones de conmutación de alto voltaje.
¿Cómo puedo comprar en volumen el MOSFET Vishay SIHP17N80E-GE3?
El MOSFET está disponible en stock con más de 14,000 unidades y puede adquirirse directamente a través de distribuidores autorizados o por los canales oficiales de Vishay, asegurando un suministro auténtico y confiable.
¿Cuál es la garantía y el soporte postventa para el MOSFET Vishay SIHP17N80E-GE3?
Como producto original nuevo, el MOSFET generalmente cuenta con garantía y soporte del fabricante. Para servicios específicos después de la venta, consulte a su distribuidor o al servicio al cliente de Vishay para garantizar una cobertura de garantía adecuada.
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