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SIS456DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 1212-8
22339 Pcs Nuevos Originales En Stock
N-Channel 30 V 35A (Tc) 3.8W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
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SIS456DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
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SIS456DN-T1-GE3

Descripción del producto

13008967

Número de pieza

SIS456DN-T1-GE3-DG
SIS456DN-T1-GE3

Descripción

MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 1212-8

Inventario

22339 Pcs Nuevos Originales En Stock
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SIS456DN-T1-GE3 Especificaciones Técnicas

Categoría Transistores, FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs

Fabricante Vishay

Embalaje -

Serie TrenchFET®

Embalaje Tape & Reel (TR)

Estado de la pieza Obsolete

Tipo FET N-Channel

Tecnología MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30 V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C 35A (Tc)

Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado) 4.5V, 10V

rds activados (máx.) @ id, vgs 5.1mOhm @ 20A, 10V

vgs(th) (máx.) @ id 2.2V @ 250µA

Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs 55 nC @ 10 V

Vgs (máx.) ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds 1800 pF @ 15 V

Función FET -

Disipación de potencia (máx.) 3.8W (Ta), 52W (Tc)

Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje Surface Mount

Paquete de dispositivos del proveedor PowerPAK® 1212-8

Paquete / Caja PowerPAK® 1212-8

Número de producto base SIS456

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

SIS456DN

Hoja de datos HTML

SIS456DN-T1-GE3-DG

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Información Adicional

Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
SIS456DNT1GE3
SIS456DN-T1-GE3CT
SIS456DN-T1-GE3DKR
SIS456DN-T1-GE3TR

Piezas alternativas

NÚMERO DE PARTE
FABRICANTE
CANTIDAD DISPONIBLE
NÚMERO DE PIEZA
PRECIO UNITARIO
TIPO DE SUSTITUCIÓN
AON7534
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
250307
AON7534-DG
0.0918
MFR Recommended
NTTFS4C06NTAG
onsemi
65245
NTTFS4C06NTAG-DG
0.2909
MFR Recommended
SISH402DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
3657
SISH402DN-T1-GE3-DG
0.3245
MFR Recommended
DMN3008SFG-13
Diodes Incorporated
2963
DMN3008SFG-13-DG
0.2029
MFR Recommended
BSZ050N03MSGATMA1
Infineon Technologies
5225
BSZ050N03MSGATMA1-DG
0.2704
MFR Recommended

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Oise***ibre
Dec 02, 2025
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しら***たる
Dec 02, 2025
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Sta***Sky
Dec 02, 2025
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Preguntas Frecuentes (FAQ)

¿Cuáles son las principales características del MOSFET Vishay SIS456DN-T1-GE3?

Este MOSFET de canal N tiene una tensión de funcionamiento de 30V, una capacidad de corriente de 35A y una baja resistencia Rds On de 5.1mΩ, lo que lo hace adecuado para aplicaciones de conmutación de alta eficiencia. Está diseñado con el paquete PowerPAK® 1212-8 para facilitar su montaje en superficie y ofrecer un rendimiento térmico óptimo.

¿Es el MOSFET Vishay SIS456DN-T1-GE3 adecuado para la gestión de altas corrientes en potencia?

Sí, este MOSFET soporta corrientes continuas de drenaje de hasta 35A a 25°C, por lo que es ideal para la gestión de potencia, control de motores y circuitos de convertidores DC-DC que requieren manejo de altas corrientes con baja pérdida de conducción.

¿Puede el MOSFET Vishay SIS456DN-T1-GE3 operar a altas temperaturas?

Por supuesto, está clasificado para operar desde -55°C hasta 150°C (TJ), y cuenta con capacidades robustas de disipación de potencia, garantizando un rendimiento confiable en entornos térmicos exigentes.

¿Es compatible el MOSFET Vishay SIS456DN-T1-GE3 con diseños estándar de PCB de montaje en superficie?

Sí, viene en el paquete PowerPAK® 1212-8 para montaje en superficie, ampliamente utilizado y compatible con los procesos estándar de ensamblaje de PCB para una integración sencilla en circuitos electrónicos.

¿Qué debo saber sobre la compra y la garantía del MOSFET Vishay SIS456DN-T1-GE3?

El MOSFET se suministra como producto nuevo y original, con 627 unidades disponibles. Cumple con la normativa RoHS3 e incluye garantías estándar del fabricante. Sin embargo, le recomendamos consultar las políticas específicas del vendedor para soporte postventa y detalles de garantía.

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