SISS27DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
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SISS27DN-T1-GE3

Descripción del producto

13009806

Número de pieza

SISS27DN-T1-GE3-DG

Fabricante

Vishay Siliconix
SISS27DN-T1-GE3

Descripción

MOSFET P-CH 30V 50A PPAK 1212-8S

Inventario

6300 Pcs Nuevos Originales En Stock
P-Channel 30 V 50A (Tc) 4.8W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S
FETs individuales, MOSFETs
SISS27DN-T1-GE3 Hoja de datos
Cantidad
Mínimo 1

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SISS27DN-T1-GE3 Especificaciones Técnicas

Categoría FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs

Fabricante Vishay

Embalaje Tape & Reel (TR)

Serie TrenchFET®

Embalaje Tape & Reel (TR)

Estado de la pieza Active

Tipo FET P-Channel

Tecnología MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30 V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C 50A (Tc)

Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado) 4.5V, 10V

rds activados (máx.) @ id, vgs 5.6mOhm @ 15A, 10V

vgs(th) (máx.) @ id 2.2V @ 250µA

Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs 140 nC @ 10 V

Vgs (máx.) ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds 5250 pF @ 15 V

Función FET -

Disipación de potencia (máx.) 4.8W (Ta), 57W (Tc)

Temperatura de funcionamiento -50°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje Surface Mount

Paquete de dispositivos del proveedor PowerPAK® 1212-8S

Paquete / Caja PowerPAK® 1212-8S

Número de producto base SISS27

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Descargar SISS27DN-T1-GE3 Especificaciones del producto (PDF)
Hoja de datos HTML

SISS27DN-T1-GE3-DG
Certificación DIGI
ISO 209001_2015
ISO 209001_2015
ISO 14001_2015
ISO 2014001_2015
ISO 45001_2018
ISO 2045001_2018
DUNS REGISTERED
DUNS REGISTERED
Companines Registry
Companines Registry
ASA Certificate
ASA Certificate
UKAS
UKAS
ESD Certificate
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